Заседание научного семинара Химического факультета Дагестанского государственного университета

Наука и исследования

Махачкала, Точка кипения ДГУ Махачкала

30 октября 2020, с 14:00 до 15:00

Image

Трансляция пройдет на платформе

Zoom

Для подключения может потребоваться установить приложение на ваше устройство

Уже идут:
Оруджев Фарид Фахреддинович
Магомедова Марьям Дибирмагомедовна
и еще18

О мероприятии

Тонкие пленки SiC/Si могут использоваться в микроэлектронике для транзисторов, оптических волноводов, кольцевых резонаторов, квантовых излучателей и т.д. Снижение размеров элементов микроэлектроники до нанометровых размеров и их архитектура накладывают значительные требования к традиционным методам осаждения по комфортности и контролю толщины пленок. Поэтому на сегодняшний день является актуальной разработка новых способов получения нанометровых пленок SiC на Si.
В докладе будет представлен новый способ получения равномерных эпитаксиальных тонких пленок b-SiC (3С-SiC) методом молекулярно-слоевого осаждения с последующей термообработкой в вакууме. Молекулярно-слоевое осаждение (МСО) - это метод осаждения из паровой фазы органических тонких пленок за счет циклических термически-стимулированных поверхностных реакций.
Семинар состоится в Точке Кипения ДГУ Махачкала в зале Сары-Кум. Будет осуществляться Zoom трансляция

Ведущие и спикеры

Магомед Бабуев

Декан химического факультета ФГБОУ ВО «Дагестанский государственный университет»

avatar

Рустам Амашаев

Директор "Инжинирингового центра "Цифровые платформы" ФГБОУ ВО «Дагестанский государственный университет»

Контакты

Организаторы

ФГБОУ ВО Дагестанский Государственный университет

Еще мероприятия