Тема: Исследования методами HR XRD и TEM процесса формирования дефектов в гетероэпитаксиальных структурах различного типа

Фалеев Николай Николаевич, к.ф.-.м.н., с.н.с. лаб.
Диагностики материалов и структур твердотельной электроники Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН расскажет о результатах структурных исследований процесса релаксации и дефектообразования в гетероэпитаксиальных
структурах различного типа, выращенных методом МПЭ на GaAs(001) и Si(001) подложках.

Исследования проводились высокоразрешающими методами рентгеновской
дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии. Было установлено, что в
гетероэпитаксиальных структурах процесс релаксации зависит от типа
гетероструктры: полярный/полярный или полярный/неполярный, а структурный
переход от когерентных анизотропных одноосно упругонапряженных эпитаксиальных
слоев к практически полностью релаксировавшим изотропно напряженным эпитаксиальным
слоям проходит в зависимости от типа структур в две или три стадии, различающиеся
типом кристаллических дефектов и механизмом их формирования.

Было показано, что существенные отличия
процесса дефектробразования в полярных и неполярных гетероструктурах обусловлены,
во-первых, наличием антифазных доменных границ, образующихся при росте полярных
эпитаксиальных слоев на неполярной подложке и во-вторых, взаимодействием
антифазных доменных границ с 60° дислокациями с образованием
дислокаций с краевыми сегментами в объеме эпитаксиального слоя.