О мероприятии

Тема: Исследования методами HR XRD и TEM процесса формирования дефектов в гетероэпитаксиальных структурах различного типа

Фалеев Николай Николаевич, к.ф.-.м.н., с.н.с. лаб. Диагностики материалов и структур твердотельной электроники Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН расскажет о результатах структурных исследований процесса релаксации и дефектообразования в гетероэпитаксиальных структурах различного типа, выращенных методом МПЭ на GaAs(001) и Si(001) подложках.

Исследования проводились высокоразрешающими методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии. Было установлено, что в гетероэпитаксиальных структурах процесс релаксации зависит от типа гетероструктры: полярный/полярный или полярный/неполярный, а структурный переход от когерентных анизотропных одноосно упругонапряженных эпитаксиальных слоев к практически полностью релаксировавшим изотропно напряженным эпитаксиальным слоям проходит в зависимости от типа структур в две или три стадии, различающиеся типом кристаллических дефектов и механизмом их формирования.

Было показано, что существенные отличия процесса дефектробразования в полярных и неполярных гетероструктурах обусловлены, во-первых, наличием антифазных доменных границ, образующихся при росте полярных эпитаксиальных слоев на неполярной подложке и во-вторых, взаимодействием антифазных доменных границ с 60° дислокациями с образованием дислокаций с краевыми сегментами в объеме эпитаксиального слоя.

Документы

Контакты

Организатор

Солодовник Максим Сергеевич

+7 (988) 546 94 37

[email protected]

Вас интересует профессиональное образование?

Мы собрали больше 200 предложений, которые помогут в развитии вашего технологического стартапа на любой стадии от идеи до готового продукта

Еще мероприятия