Тема: Приборы оптоэлектроники на основе гетероструктур A3B5-N, выращенных на подложках GaAs, GaP и Si

Егоров Антон Юрьевич, доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН, проректор по науке Санкт-Петербургского Академического университета им. Ж.И. Алфёрова Российской академии наук расскажет о результатах научных исследований и разработок, направленных на создание наногетероструктур InGaAsN/GaAsN/GaAs, GaPAsN/GaPN/GaP и GaPAsN/GaPN/GaP/Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии, а также о созданных на их основе лазерах, светодиодах и фотоэлектрических преобразователях.