Семинар посвящен методам эпитаксиального синтеза полупроводников А3В5 (в частности – InP) непосредственно на структурированных подложках Si(100). Будут рассмотрены перспективные методы прямой монолитной интеграции материалов А3В5 на кремнии. Будут рассмотрены оптический свойства таких систем на примере наноструктур InP, монолитно выращенных на подложках Si.

Семинар проводится в рамках совместного семинара Лабораторией эпитаксиальных технологий Южного Федерального университета и Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники факультета Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук.

Докладчик: Моисеев Э.И., научный сотрудник Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ.