Научный доклад посвящен разработке основ технологии управляемого легирования микрообъемов внутри кремниевых пластин, позволяющей существенно расширить возможности совершенствования и создания новых полупроводниковых приборов. Для легирования микрообластей используется метод термомиграции (ТМ). В ходе исследований изучена кинетика миграции зон в поле температурного градиента на основе сплавов галлия и алюминия, разработаны методики формирования легирующих зон указанными металлами, разработано
нагревательное устройство, обеспечивающее достаточно однородное поле градиента температуры в пластине кремния диаметром не менее 100 мм, установлено структурное совершенство полученных микрообластей, легированных алюминием и галлием, получены опытные структуры кремниевых высоковольтных ФЭП с эффективностью преобразования солнечной энергии 13,8% (AM 1,5D).

Спикер - Заиченко Александр Николаевич, ст. преподаватель кафедры “Физика и фотоника”, Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова