В рамках семинара, проводимого на базе Лаборатории технологии функциональных наноматериалов при поддержке проекта Российского научного фонда №20-69-46076 "Монолитная интеграция полупроводников А3В5 на кремнии для интегральных элементов оптоэлектроники и нанофотоники" ведущий ученый и старший научный сотрудник Физико-технического института им. Иоффе Российской академии наук, кандидат физико-математических наук Фалеев Николай Николаевич расскажет о современном состоянии и возможностях метода высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии (HR-XRD) в области структурной диагностики полупроводников и наногетероструктур на их основе.

Участники семинара узнают:

- об истории развития методам рентгеновской дифрактометрии,

- современных методиках анализа структуры вещества,

- процессах образования дефектов кристаллической структуры в процессе формирования сложных полупроводниковых гетероструктур.